三星电子9号表示，三星在全球首次实现了“3比特V NAND闪存设备”的量产。处理速度和电力效率、大小为10纳米级的128Gb，其技术领先于东芝、镁光等其他的竞争公司两年以上。SKhynix用更先进的微细工程技术量产次世代储存设备-固态硬盘（SSD），从而来替代硬盘驱动器（HDD），并且已经开始向美国的两家大型服务器企业供货了。
三星电子将水平插入的半导体芯片发展成垂直插入的V NAND技术，优先于其他的竞争公司。SKhynix则通过将半导体电路变更细的微细工程领先于外国储存器企业。
LG电子也在汽车系统半导体开发上加快了步伐。产业通商资源部电子零件课长金政和说：“三星电子、SKhynix的半导体工程技术是全球最高水平，这也得益于研发方面的持续投资。”LGinnotek则成功实现了紫外线LED量产。LED虽然主要用于一般的照明，但LGinnotek加强了技术后可以运用在净化器、饮水机、消毒器等杀菌产品上，让使用用途扩大了。
三星电子第三季度业绩中，半导体的营业利润首次超过了智能手机。
而SKhynix今年上半年的营业利润为2兆1411亿韩元，是史上最高值。
■ <专业术语解释>
▷NAND flash：为USB储存器，是使用在智能手机等上面的储存设备，半导体芯片不是水平插入，而是垂直插入，处理速度和电力效率均有提高，具体分类为V NAND flash。
[(c) 每日经济 & mk.co.kr，禁止重新编辑与转载]
