三星未来技术培育事业支援的蔚山科学技术院(UNIST)能源及化学工学部教授研究组提出了将新一代存储器半导体的集成度提高1000倍以上的可能性。

此次研究于2日(当地时间)发表在世界性学术杂志《Science》上。《Science》上刊登纯理论论文是极为罕见的事例，国内研究组单独通讯进行的该研究得到了理论严密性，独创性和产业影响力的认可。

研究组发现了在半导体中广泛使用的HfO2上进行电时出现的原子间相互作用消失的新现象，并利用该发现证明可以储存4个氧气原子1位。

目前以硅为基础的半导体面临着小型化，集成化的限制。此次研究结果将半导体集成度提高1000倍左右，在指甲大小上可以储存1.28万部高画质(以FHD·5GB为准)电影。保存数据必须有数千个原子集团‘domain’。因此，现有技术无法将大小缩小到一定水平。

因为，如果半导体元件缩小到极限以下，存储信息的能力就会消失。存储器元件的单位大小也停留在10纳米水平。

研究组新发现了一种物理现象，即对所谓HfO2的半导体材料的氧气原子施加电压，原子间的弹性就会消失。原子之间因为弹性作用，数千个原子一起活动，在电压的HfO2中这种相





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